Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN (1 x 8 GB | SO-DIMM DDR4-3200)

Sobre este producto

La Memoria RAM Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN ofrece una solución eficiente para mejorar el rendimiento de una variedad de notebooks y equipos portátiles. Diseñada con un módulo SO-DIMM de 8 GB, esta memoria utiliza tecnología DDR4 a una velocidad de 3200 MT/s, brindando un buen equilibrio entre velocidad de transferencia y consumo de energía. Esta combinación la hace adecuada para un amplio rango de aplicaciones, incluyendo el uso diario y tareas de multitarea moderadas.

La configuración de 8 GB permite una experiencia de usuario fluida, mientras que su voltaje de operación de 1.20 V contribuye a una operación energéticamente eficiente, ayudando a prolongar la duración de la batería en los dispositivos compatibles. Debido a su diseño compacto y a la ausencia de un disipador de calor, la Memoria RAM Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN facilita su integración en una amplia gama de portátiles modernos que emplean el estándar SO-DIMM.

Es importante tener en cuenta que esta memoria está orientada a un uso estándar y no incorpora características como la corrección de errores ECC o la búferización completa, lo que la hace ideal para tareas generales pero no para aplicaciones de alta demanda o entornos críticos. Aunque ofrece un rendimiento considerablemente mejorado en tareas cotidianas, es crucial asegurar la compatibilidad con la plataforma del portátil antes de la instalación.